نمایش عملکرد فوق العاده حافظه 3D XPoint اینتل در شانگهای

در میانه های سال قبل میلادی هنگامی که اینتل از معماری جدید 3D XPoint رونمایی کرد، بسیاری با قاطعیت گفتند که این محصول در آینده صنعت ذخیره سازهای رایانه ای را تحت سلطه خود در خواهد آورد. برخی حتی پیش بینی می کنند که محصول مشترک اینتل و میکرون بتواند جایگزین هر دو نوع حافظه های DRAM و NAND فعلی شود.

با آن که از قبل می دانستیم این معماری جدید حافظه در مقایسه با چیپ های NAND امروزی بسیار سریع تر است، اما تا امروز شرایطی فراهم نشده بود که عملکرد آن را از نزدیک مشاهده کنیم. بالاخره این فرصت در طی هفته جاری و در خلال رویداد IDF در شانگهای چین به دست آمد.

بر خلاف حافظه های NAND که اطلاعات می بایست در آن ها به صورت صفحه به صفحه ذخیره و بخش به بخش پاک شوند، در چیپ های 3D XPoint آدرس دهی اطلاعات در سطح بایت ها انجام می پذیرد. همین قابلیت مقدار زیادی از فشار کاری وارده را کم کرده و نتیجه آن افزایش چشمگیر سرعت نوشتن و خواندن اطلاعات، به خصوص در عملکردهای تصادفی، خواهد بود.

در خلال این نمایش، حافظه Optane اینتل (نام تجاری حافظه های مبتنی بر 3D XPoint) توانست در یک پروسه چند مرحله ای به سرعت 1.9 گیگابایت در ثانیه برسد. علاوه بر این، وقتی نوبت به انجام عملیات های تصادفی رسید، این حافظه توانست به رقم 464 هزار آی آپس دست یابد. سرعت 1.9 گیگابایت در ثانیه رکوردی است که SSD های مبتنی بر NAND امروزی و حتی چیپ های NVMe هم قادر به دستیابی به آن نیستند.

این طور که به نظر می رسد عملکرد و سرعت حافظه های مبتنی بر 3D XPoint در خواندن و نوشتن اطلاعات و یا عملیات های مرحله ای و تصادفی کاملاً یکسان خواهد بود.

با وجود این نمایش درخشان، اینتل و Micron هنوز هیچ تاریخ مشخصی را برای عرضه عمومی حافظه های مبتنی بر 3D XPoint اعلام نکرده اند، اما گمان می رود که اولین حافظه های SSD مجهز به این فناوری تا قبل از پایان سال جاری وارد بازار شوند.