میت ۹ هوآوی از چیپست ۱۰ نانومتری کایرین ۹۷۰ بهره خواهد برد

هر چند هوآوی طی سال جاری میلادی از تلفن های هوشمند P9 و P9 پلاس پرده برداشته، ولی همگان می دانند که این شرکت به زودی و طبق رسوم خود از یک فبلت توانمند از خانواده ی میت و با نام احتمالی Mate 9 رونمایی به عمل خواهد آورد.

بد نیست یادآور شویم چندی پیش مسئولین برند مورد بحث ذکر کردند که نمی بایست انتظار معرفی موبایل مذکور را در نمایشگاه IFA برلین داشته باشیم که در شهریور ماه برگزار می شود؛ اظهار نظری که احتمال رونمایی از این دستگاه در سه ماهه چهارم ۲۰۱۶ و طی ماه های اکتبر یا نوامبر را قوت بخشید.

پس از این تفاسیر می بایست بگوییم، امروز اطلاعات و جزئیات تازه ای در مورد Mate 9 از طریق منابع چینی و فعالان صنعت مربوطه فاش شده است. بر طبق این داده های جدید ذکر می گردد که فبلت پرچمدار بعدی هوآوی قدرت خودش را از چیپست ۶۴ بیتی کایرین ۹۷۰ خواهد گرفت؛ تراشه ای که بر مبنای فناوری ۱۰ نانومتری FinFET شرکت TSMC به تولید خواهد رسید.

گفته های بالا به آن معناست که سیستم-روی-چیپ میت ۹ یکی از قدرتمندترین ها در نوع خودش به حساب خواهد آمد و البته باور فعلی بر این است که Helio X30 شرکت مدیاتک هم با فرآیند و تکنولوژی مشابه آنچه هوآوی در نظر گرفته تولید خواهد شد.

شایان ذکر است تا پیش از این اکثر منابع بر این تصور بودند که فبلت آتی موفق ترین موبایل ساز چینی در جهان از کایرین ۹۶۰ بهره خواهد برد که بر مبنای فناوری ۱۶ نانومتری TSMC توسعه یافته، ولی حالا شواهد اینطور نشان می دهند که بلند پروازی های هوآوی ادامه دارد و آنها به شدت در تلاش هستند تا به همه شکل بر رقبا برتری یابند.

شنیده های پیشین نیز حاکی از آن هستند که میت ۹ احتمالاً‌ همانند نسل قبل خود بدنه ای فلزی خواهد داشت و در بخش پشتی اش یک حسگر اثر انگشت تعبیه شده. حدس زده می شود این فبلت به نمایشگری ۶ اینچی تجهیز گشته باشد و با اندروید ۷.۰ و رابط کاربری EMUI 5.0 به دست کاربران برسد.

هوآوی در سال های اخیر تمرکز وسیعی بر توسعه و تولید چیپست های موبایل در خانه داشته و اکنون نیز امید دارد با جهشی بزرگ در میت ۹ بر نام های شناخته شده ای مثل سامسونگ و کوالکام برتری یابد، اتفاقی که باید دید عاقبت به وقوع خواهد پیوست یا خیر.